MMBTA92-G

Общие характеристики:

• Наименование производителя: MMBTA92-G
• Маркировка: 2D
• Тип материала: Кремний (Si)
• Полярность: PNP

Электрические характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 Вт
  Определяет максимально допустимую мощность, которую транзистор может рассеивать без перегрева.

• Максимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 В
  Максимальное напряжение, которое можно приложить между коллектором и базой транзистора без риска его повреждения.

• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 В
  Максимальное напряжение, которое можно приложить между коллектором и эмиттером транзистора без риска его повреждения.

• Максимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 В
  Наибольшее напряжение, которое можно приложить между эмиттером и базой транзистора без риска его повреждения.

• Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 А
  Максимальное значение тока коллектора, которое транзистор может выдерживать при постоянной работе.

• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  Максимальная температура, которую PN-переход транзистора может достигать без риска повреждения.

• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 МГц
  Максимальная частота, на которой транзистор может сохранять заданный коэффициент передачи тока без значительного падения производительности.

• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
  Отношение изменения тока коллектора к изменению тока базы при постоянных условиях.

Применение:

Транзистор MMBTA92-G используется в различных схемах, требующих высоких напряжений и надежной работы при относительно высоких частотах. Он подходит для усилительных цепей, переключающих и других аналоговых приложений, где требуется высокая изоляция и надежность.