MMBTA42-G

Общие характеристики:

• Наименование производителя: MMBTA42-G
• Маркировка: 1D
• Тип материала: Кремний (Si)
• Полярность: NPN

Электрические характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 Вт
  Это максимальная мощность, которую транзистор способен рассеивать без перегрева. Показатель мощности определяет, насколько эффективно транзистор может работать при заданных условиях.

• Максимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 В
  Наибольшее напряжение, которое можно прикладывать между коллектором и базой транзистора, не нарушая его работы и не вызывая повреждений.

• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 В
  Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером, которое транзистор может выдерживать без риска повреждения.

• Максимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 В
  Наибольшее напряжение между эмиттером и базой, которое транзистор может выдерживать без повреждений.

• Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 А
  Максимальный ток коллектора, который транзистор может выдерживать при длительной работе.

• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  Максимальная температура, которую PN-переход транзистора может достигать без повреждения.

• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 МГц
  Максимальная частота, на которой транзистор может поддерживать стабильный коэффициент передачи тока без значительных потерь в характеристиках.

• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
  Показатель отношения изменения тока коллектора к изменению тока базы при постоянных условиях, характеризующий эффективность усиления транзистора.

Применение:

Транзистор MMBTA42-G широко используется в различных аналоговых и цифровых схемах. Он подходит для применения в усилителях, переключающих устройствах и других системах, где требуется высокая надежность, способность выдерживать высокие напряжения и работать на частотах до 50 МГц.