• Низкое насыщение по напряжению: VCE(sat) = 0.5 В макс. (IC = -2 А, IB = 0.2 А)
• Отличная линейность hFE и высокая hFE: hFE = 60 до 400 (VCE = 2 В, IC = 1 А)
• Компактный корпус: Требует меньше места и не нуждается в изоляторе, что упрощает крепление к радиатору.

ПРЕДЕЛЬНЫЕ РЕЖИМЫ РАБОТЫ

• Температура хранения: −55 до +150°C
• Температура перехода: 150°C Максимум
• Общая рассеиваемая мощность:
  • При TA = 25°C: 1.0 Вт
  • При TC = 25°C: 10 Вт
• Максимальные напряжения и токи:
  • VCBO (Напряжение коллектор-база): 40 В
  • VCEO (Напряжение коллектор-эмиттер): 30 В
  • VEBO (Напряжение эмиттер-база): 5.0 В
  • IC (Постоянный ток коллектора): 3.0 А
  • IC (Импульсный ток коллектора): 7.0 А (Импульсный тест PW ≤ 350 мкс, Рабочий цикл ≤ 2%)

Этот транзистор хорошо подходит для высокотоковых приложений, таких как выходные каскады аудиоустройств, регуляторы напряжения, DC-DC преобразователи и драйверы реле.

БУ