MMBT5551

Общие характеристики:

• Структура: NPN
  Транзистор с типичной структурой NPN, где носители заряда перемещаются от эмиттера к коллектору через базу.

Электрические характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер (Vce): до 160 В
  Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером, которое транзистор может выдерживать без риска повреждения.

• Напряжение коллектор-база (Vcb): до 180 В
  Максимальное напряжение между коллектором и базой, которое транзистор способен выдерживать.

• Напряжение эмиттер-база (Veb): до 6 В
  Максимальное напряжение между эмиттером и базой, не вызывающее повреждение транзистора.

• Ток коллектора (Ic): до 0.6 А
  Максимальный постоянный ток, который может протекать через коллектор транзистора без перегрева или повреждения.

• Рассеиваемая мощность коллектора (Pc): до 0.35 Вт
  Максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать при нормальных условиях эксплуатации.

• Коэффициент усиления по току (hfe): от 80 до 250
  Отношение изменения тока коллектора к изменению тока базы, определяющее усиление транзистора при постоянных условиях.

• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 МГц
  Частота, при которой транзистор сохраняет стабильный коэффициент передачи тока, что важно для высокочастотных приложений.

Корпус транзистора:

• Тип корпуса: SOT-23
  Компактный поверхностный монтажный корпус, который обеспечивает малые размеры и удобство в установке на печатной плате.

Применение:

Транзистор MMBT5551 с его характеристиками предназначен для использования в высокочастотных и мощных приложениях, таких как усилители, переключатели и схемы с высоким быстродействием. Его компактные размеры и высокие параметры напряжения и тока делают его подходящим для применения в различных электронных устройствах.