Транзистор 2SB688 представляет собой мощный биполярный p-n-p транзистор, предназначенный для использования в различных усилительных и переключающих схемах. Ниже приведены его ключевые характеристики и особенности:

Характеристики

• Структура: p-n-p

  • Транзистор имеет p-n-p структуру, что означает, что он состоит из двух p-слоев и одного n-слоя, с эмиттером в p-слое и коллектором в другом p-слое.

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (|Vce|): -120 В

  • Это максимальное напряжение, которое транзистор может выдерживать между коллектором и эмиттером без риска разрушения или выхода из строя.

• Максимальное напряжение коллектор-база (|Vcb|): -120 В

  • Это максимальное напряжение, которое транзистор может выдерживать между коллектором и базой.

• Максимальное напряжение эмиттер-база (|Veb|): -5 В

  • Это максимальное напряжение, которое транзистор может выдерживать между эмиттером и базой.

• Максимальный ток коллектора (|Ic|): -8 А

  • Это максимальный постоянный ток, который может протекать через коллектор транзистора. Ток отрицательный, что указывает на p-n-p структуру.

• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc): 80 Вт

  • Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать в виде тепла без перегрева.

• Коэффициент усиления транзистора по току (hFE): от 55 до 160

  • Это коэффициент усиления по току, который показывает, насколько сильно транзистор усиливает входной ток на выходной. Значение варьируется в указанном диапазоне, что позволяет использовать транзистор в различных приложениях.

• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 МГц

  • Это частота, при которой коэффициент усиления по току уменьшается до единицы. Граничная частота определяет максимальную скорость переключения транзистора.

• Корпус: TO-3P

  • Это тип корпуса, в который упакован транзистор. TO-3P — это стандартный корпус для мощных транзисторов, обеспечивающий хорошее теплоотведение.

Применение

Транзистор 2SB688 часто используется в усилительных цепях, источниках питания, а также в различных промышленных и потребительских электронных устройствах, где требуется управление большими