Полевые транзисторы

Сортировать:

Показывать:

Технические характеристики RFP30N06LEТип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая м..

45.00 Грн

SSF7509Тип транзистора: MOSFET (Металлооксидный полевой транзистор)Полярность: N-канальный транзисто..

20.00 Грн

Общее описание: STGP7NC60HD — это N-канальный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor), ..

60.00 Грн

Маркировка: P75NF75Тип транзистора: MOSFET (Металлооксидный полевой транзистор)Полярность: N-канальн..

20.00 Грн

T60N02R — это N-канальный MOSFET транзистор с характеристиками, которые делают его подходящим для ра..

50.00 Грн

Характеристики:Низкое сопротивление канала в открытом состоянии: RDS(ON)=0.7 ΩR_{DS (ON)} = 0.7 \, \..

80.00 Грн

Тип канала управления: N-каналМаксимальная мощность рассеяния (Pd): 45 ВтМаксимальное напряжение сто..

40.00 Грн

Основные параметры:Маркировка: W34NB20Тип транзистора: MOSFETПолярность: N-канальныйКорпус: TO-247 (..

60.00 Грн

Показано с 61 по 68 из 68 (всего 5 страниц)