Полевые транзисторы

IRF7319Тип транзистора: MOSFETПолярность: N-канальныйХарактеристики:Максимальная рассеиваемая мощнос..

30.00 Грн

IRFB4110 – это мощный полевой транзистор с N-канальной структурой MOSFET, предназначенный для работы..

30.00 Грн

IRFP260NТип транзистора: N-канальный МОП (MOSFET)Характеристики:Корпус: TO-247ACНапряжение пробоя ст..

50.00 Грн

Транзистор IRFP450 предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, регулятора..

30.00 Грн

ранзистор IRFZ46N предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, регуляторах..

50.00 Грн

IRLB3034Структура: N-каналХарактеристики:Максимальное напряжение сток-исток (U<sub>DS</sub&..

30.00 Грн

Транзистор K10A50D – это N-канальный MOSFET, который можно использовать в различных высоковольтных п..

90.00 Грн

KF12N60F — N-Channel Power MOSFETОсновные характеристики:Полярность: N-ChannelМаксимальная рассеивае..

40.00 Грн

Микросхема MDP1991Полярность: N (N-канальный MOSFET)Технические характеристики:Максимальная рассеива..

100.00 Грн

Технические характеристики NCE7560KТип транзистора: MOSFETПолярность: N-канальныйМаксимальная рассеи..

20.00 Грн

P1203BV – это N-канальный MOSFET транзистор, который предназначен для различных силовых и переключат..

30.00 Грн

P9NK50ZFP – это N-канальный MOSFET транзистор, который предназначен для использования в различных си..

30.00 Грн

PHD78NQ03LT представляет собой мощный N-канальный MOSFET (металл-оксид-полупроводник с изоляцией) тр..

50.00 Грн

ехнические параметры MOSFET (похож на RD16HHF1):Структура: N-каналМаксимальное напряжение сток-исток..

0.00 Грн

RD16HHF1 — это N-канальный MOSFET, предназначенный для различных силовых приложений.Характеристики:Т..

0.00 Грн