Полевые транзисторы

FQP27P06 от компании Fairchild — это P-канальный MOSFET транзистор, разработанный для различных прил..

100.00 Грн

FQP30N06 — это MOSFET транзистор с характеристиками, которые делают его подходящим для различных мощ..

50.00 Грн

FQPF20N60 — это MOSFET транзистор с различными характеристиками для применения в мощных электронных ..

15.00 Грн

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NХарактеристики:Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 WЭто..

100.00 Грн

Тип транзистора: MOSFETПолярность: NХарактеристики:Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 WЭто..

80.00 Грн

IGBT H20R1203Тип транзистора: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) + ДиодМаркировка..

50.00 Грн

HFS2N60 — это N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для использования в мощных импульсных и..

10.00 Грн

HY3008P MOSFETТип транзистора: MOSFETПолярность: N-Channel (N)Основные параметры:Максимальная рассеи..

100.00 Грн

IPS06N03LZ — это N-канальный MOSFET, предназначенный для высокочастотных DC-DC преобразователей и др..

10.00 Грн

IRF1404Тип транзистора: N-канальный MOSFETХарактеристики:Корпус: TO-220ABНапряжение пробоя сток-исто..

20.00 Грн

IRF3205 – это N-канальный MOSFET транзистор, предназначенный для работы в высоковольтных и высокоток..

20.00 Грн

IRF3704ZSТип транзистора: N-канальный MOSFETХарактеристики:Максимальная рассеиваемая мощность (P<..

30.00 Грн

IRF3710 – это N-канальный MOSFET транзистор, который предназначен для управления высокими токами и н..

20.00 Грн

IRF540N – это мощный N-канальный MOSFET транзистор, часто используемый в схемах с высокой мощностью,..

20.00 Грн

IRF640NТип транзистора: N-канальный MOSFETОписание и применение:Транзистор IRF640N предназначен для ..

20.00 Грн