Биполярные транзисторы
MJE15032G
Транзистор MJE15032 — это мощный NPN транзистор, предназначенный для использования в различных усили..
50.00 Грн
MJE15033G
Характеристики транзистора MJE15033Структура: p-n-pМаксимальное напряжение коллектор-эмиттер: -250 В..
50.00 Грн
MMBT3904
MMBT3904-DОбщие характеристики:Наименование производителя: MMBT3904-DМаркировка: 1AMТип матери..
2.00 Грн
MMBT3906
MMBT3906Общие характеристики:Структура: P-N-PКорпус: SOT-23Электрические характеристики:Напряжение к..
1.00 Грн
MMBT4403
MMBT4403-GОбщие характеристики:Наименование производителя: MMBT4403-GМаркировка: 2TТип матери..
1.00 Грн
MMBT5401
MMBT5401Общие характеристики:Наименование производителя: MMBT5401Маркировка: 2L, K4MТип материала: К..
2.00 Грн
MMBT5551
MMBT5551Общие характеристики:Структура: NPNТранзистор с типичной структурой NPN, где носители заряда..
1.00 Грн
MMBT9015
MMBT9015LT1Общие характеристики:Наименование производителя: MMBT9015LT1Маркировка: M6Тип материала: ..
1.00 Грн
MMBTA42LT1G
MMBTA42-GОбщие характеристики:Наименование производителя: MMBTA42-GМаркировка: 1DТип материала: Крем..
5.00 Грн
MMBTA92
MMBTA92-GОбщие характеристики:Наименование производителя: MMBTA92-GМаркировка: 2DТип материала: Крем..
2.00 Грн
MMS8050
MMS8050Общие характеристики:Наименование производителя: MMS8050Маркировка: J3YТип матер..
2.00 Грн
MMS9012
MMS9012-HОбщие характеристики:Наименование производителя: MMS9012-HМаркировка: 2T1Тип материала: Кре..
1.00 Грн
S8050
S8050Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 ВтМаксимальное напряжение коллект..
1.00 Грн
S8550
MMS8550Наименование производителя: MMSМаркировка: 2TYМатериал: Кремний (Si)Тип транзистора: PNPМакси..
2.00 Грн
S9013
MMS9013-HНаименование производителя: MMSМаркировка: J3Материал: Кремний (Si)Тип транзистора: ..
2.00 Грн