Полевые транзисторы
AO4494
MOSFET Транзистор AO4494Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 30 ВМаксимальный ток стока (ID): 1..
40.00 Грн
AO4606
MOSFET AO4606 использует передовые технологии в транзисторах с канавками (trench technology) для о..
13.00 Грн
APM2054N
MOSFET Транзистор APM2054NПолярность: N (N-канальный MOSFET)Максимальная рассеиваемая мощность (Pd):..
15.00 Грн
APM3055L
APM3055LПолярность: N (N-канальный MOSFET)Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 ВтПредельно до..
15.00 Грн
BF998R
BF998 — это N-канальный MOSFET транзистор, который используется в различных схемах, вкл..
9.00 Грн
BUZ111S
BUZ111S — это МОП-транзистор (MOSFET) с высокими характеристиками для различных приложений. Ниже при..
70.00 Грн
CEP50N06
CEP50N06 – N-Channel Power MOSFETХарактеристики:Полярность: N-ChannelМаксимальная рассеиваемая мощно..
40.00 Грн
CEP83A3
CEP83A3 – N-Channel Power MOSFETХарактеристики:Тип управления: N-ChannelМаксимальная рассеиваемая мо..
35.00 Грн
FDP2532
FDP2532Тип транзистора: MOSFETПолярность: N-канальныйТехнические параметры:Максимальное напряжение с..
220.00 Грн
FDU8896
FDU8896Тип транзистора: MOSFETПолярность: N-канальныйХарактеристики:Максимальная рассеиваемая ..
50.00 Грн
FGA15N120
FGA15N120ANTD1200V NPT Trench IGBTFeatures• NPT Trench Technology, Positive temperature coefficient•..
120.00 Грн
FGA25N120
FGA25N120Тип транзистора: IGBT (изолированный биполярный транзистор с управляемым затвором) с встрое..
150.00 Грн
FGH40N60SMD
FGH40N60SMD — это мощный IGBT транзистор с встроенным диодом, предназначенный для работы в пр..
150.00 Грн
FQA24N50
FQA24N50 — это мощный N-канальный MOSFET транзистор, предназначенный для высоковольтных приложений с..
120.00 Грн