NCE65T260I/K — N-канальний MOSFET з суперпереходом (Super Junction) для високовольтних джерел живлення.
Загальний опис:
Транзистори цієї серії базуються на технології суперпереходу і траншейного затвору, що дозволяє отримати низький опір у відкритому стані (R<sub>DS(on)</sub>) та малий заряд затвору (Q<sub>g</sub>). Вони спеціально розроблені для систем AC/DC живлення, корекції коефіцієнта потужності (PFC) та промислового застосування.
Особливості:
-
Інноваційна технологія для високовольтних схем
-
Низький опір каналу у відкритому стані — низькі втрати
-
Компактний корпус
-
Дуже низький заряд затвору — знижене навантаження на драйвер
-
Перевірка на стійкість до лавинного пробою
-
Відповідає стандарту RoHS (без свинцю)
Застосування:
-
Коректори коефіцієнта потужності (PFC)
-
Імпульсні джерела живлення (SMPS)
-
Джерела безперебійного живлення (UPS)
Основні параметри:
Параметр | Позначення | Значення | Одиниця |
---|---|---|---|
Напруга стік-витік | VDS | 650 В | Вольт |
Типовий опір каналу | RDS(on) | 220 мОм | Ом |
Сталий струм стоку | ID | 15 А | Ампер |
Теги: NCE65T260K, N-MOSFET, TO-252, 650 В, 52 А, потужний, високовольтний