Транзисторы

Сравнение (0)

Сортировка:

Показать:

N-канальный силовой MOSFET 650 В (сток-исток) ОСОБЕННОСТИ Низкий параметр добротности (F..

20.0

Кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор NPN Предназначен для коммутационных и низкочастотных ..

1.0

Максимальные параметры Параметр Обозначение Значение Единица измерени..

1.0

N-канальные MOSFET 60 В – семейство 2N7000 / 2N7002 / VQ1000J/P / BS170 Общее описание: Низковол..

3.0

ОСОБЕННОСТИ: Повышенное рабочее напряжение и ток Отличная линейность коэффициента у..

1.0

Напряжение коллектор-эмиттер: BV<sub>CEO</sub> = 50 В Ток коллектора до 150 мА ..

2.0

2SK3797 — N-канальный MOSFET (π-MOSVI) от Toshiba Назначение: Предназначен для импульсных источн..

10.0

GT30F124 — IGBT Назначение: Высокоскоростной транзистор для управления мощностью и преобразования..

43.0

GT30F131 — IGBT транзистор с каналом N Назначение: Высокомощные ключевые и импульсные применения,..

35.0

Основные характеристики Рассеиваемая мощность (при 25 °C): 1 Вт Максимальный ток ко..

1.0

Показано с 1 по 10 из 76 (всего 8 страниц)